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AUIRFS8409-7TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
5
INFINEON
con
24+
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晶体管

AUIRFS8409-7TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
328351
INFINEON
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24+
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优势库存，原装正品

AUIRFS8409-7TRL
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生卢先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
6500
IR
TO-263
25+
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全新原装正品现货，全网好价

AUIRFS8409-7TRL
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
5
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRFS8409-7TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
328351
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AUIRFS8409-7TRL
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
328351
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AUIRFS8409-7TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
328351
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-
现货常备京北通宇商城可查价格

AUIRFS8409-7TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
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优势库存，原装正品

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制造商
International Rectifier
功能描述
Trans MOSFET N-CH 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Tape and Reel
制造商
International Rectifier
功能描述
Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A

AUIRFS8409-7TRL 技术参数

AUIRFS8407-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 AUIRFS8407 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:163W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS6535TRL 功能描述:MOSFET N CH 300V 19A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFSL8409 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z

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