AUIRF7799L2TR1

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功能描述
MOSFET DirectFET 2 250V 35A 38mOhm Automotive
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF7799L2TR1 技术参数

AUIRF7799L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:38 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:165nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6714pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7769L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 毫欧 @ 74A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11560pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7759L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:375A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 96A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:12222pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF7749L2TR 功能描述:MOSFET NCH 60V 36A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，OptiMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Ta），345A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 120A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:275nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10655pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:1 AUIRF7739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:46A（Ta），270A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 毫欧 @ 160A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:330nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11880pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409 AUIRFBA1405 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR