AUIRF7665S2TR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AUIRF7665S2TR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
SMD
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AUIRF7665S2TR
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
9800
Infineon Technologies
DIRECTFET SB
19+
-
代理直销！进口原装正品！

AUIRF7665S2TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15610
INTERNATI
1521+
-
全新原装现货

AUIRF7665S2TR
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

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功能描述
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF7665S2TR 技术参数

AUIRF7648M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），68A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 41A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2170pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7647S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.9A（Ta），24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:31 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SC 供应商器件封装:DIRECTFET? SC 标准包装:4,800 AUIRF7640S2TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 77A DIRECTFET-S2 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Ta），21A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:36 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 25μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 SB 供应商器件封装:DIRECTFET SB 标准包装:1 AUIRF7484QTR 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7484Q 功能描述:MOSFET N CH 40V 14A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 14A，7V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 7V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7759L2TR AUIRF7769L2TR AUIRF7799L2TR AUIRF7805Q AUIRF7805QTR AUIRF8736M2TR AUIRF8739L2TR AUIRF9540N AUIRF9952Q AUIRF9952QTR AUIRF9Z34N AUIRFB3207 AUIRFB3806 AUIRFB4410 AUIRFB4610 AUIRFB8405 AUIRFB8407 AUIRFB8409