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AUIRF6218L

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  • AUIRF6218L
    AUIRF6218L

    AUIRF6218L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

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AUIRF6218L 技术参数
  • AUIRF6215STRL 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF6215S 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF6215 功能描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 6.6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):860pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 AUIRF540ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 22A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1770pF @ 25V 功率 - 最大值:92W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF540ZS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 22A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1770pF @ 25V 功率 - 最大值:92W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRF7304QTR AUIRF7309Q AUIRF7309QTR AUIRF7313Q AUIRF7313QTR AUIRF7316Q AUIRF7316QTR AUIRF7319Q AUIRF7319QTR AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR
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