AUIRF2804LRL306

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AUIRF2804LRL306
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
IR
TO262
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRF2804LRL306
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
8563
IR
TO262
2022
-
全新原装现货支持BOM表配单

AUIRF2804LRL306
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3987
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TO-262
2237+
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十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE MOSFET, 40V 75.000A AUTO D2PAK, -306 LEADFORM - Tape and Reel

AUIRF2804LRL306 技术参数

AUIRF2804L 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRF2804 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:50 AUIRF1405ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:150A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRF1405ZS-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 88A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRF1405ZS-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 毫欧 @ 88A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:230nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB 供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 AUIRF2903ZL AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL AUIRF3305 AUIRF3315S AUIRF3315STRL AUIRF3415 AUIRF3504 AUIRF3710Z AUIRF3710ZS