APTGT150X120E2G

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APTGT150X120E2G
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
APT
原厂原装
23+
-
只做原装正品

APTGT150X120E2G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
163
APT
模块
2010+
-
香港原装现货 3-5天

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1

您是不是要找： APTGT200A120D3G APTGT200A120G APTGT200A170D3G APTGT200A602G APTGT200A60T3AG APTGT200A60TG APTGT200DA120D3G APTGT200DA120G APTGT200DA170D3G

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APTGT150X120E2G 技术参数

APTGT150TL60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 200A 480W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT150TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 225A 480W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT150TA60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 600V 225A 480W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGT150SK60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 225A 480W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT150SK60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 225A 480W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:225A 功率 - 最大值:480W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT200DA60T3AG APTGT200DA60TG APTGT200DH120G APTGT200DH60G APTGT200DU120G APTGT200DU60TG APTGT200H120G APTGT200H60G APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G