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APTGT100DA120D1

配单专家企业名单
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  • APTGT100DA120D1G
    APTGT100DA120D1G

    APTGT100DA120D1G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 170

  • APT

  • 100A/1200V/IGBT+DIOD

  • 2024+

  • -

  • 全新现货价格优势

  • APTGT100DA120D1G
    APTGT100DA120D1G

    APTGT100DA120D1G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 98653

  • 原厂

  • MODULE

  • 最新批号

  • -

  • 代理此型号，原装正品现货！！

  • APTGT100DA120D1
    APTGT100DA120D1

    APTGT100DA120D1

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • APT

  • 模块

  • 05+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • APTGT100DA120D1
    APTGT100DA120D1

    APTGT100DA120D1

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • APT

  • 原厂封装

  • 15+

  • -

  • 原装正品，假一罚十

  • APTGT100DA120D1
    APTGT100DA120D1

    APTGT100DA120D1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：刘小姐

    电话：15961889150

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • S94X34-7L

  • 25+

  • -

  • 国产品牌，替代进口

  • APTGT100DA120D1
    APTGT100DA120D1

    APTGT100DA120D1

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-88608801多线17727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • APT

  • 价格优势

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全称
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT100DA120D1 技术参数
  • APTGT100BB60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:通孔 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT100A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100A60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT100A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:340W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.1nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:通孔 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGT100A170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:560W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT100DH170G APTGT100DH60T3G APTGT100DH60TG APTGT100DSK60T3G APTGT100DU120TG APTGT100DU170TG APTGT100DU60TG APTGT100H120G APTGT100H170G APTGT100H60T3G APTGT100H60TG APTGT100SK120D1G APTGT100SK120TG APTGT100SK170D1G APTGT100SK170TG APTGT100SK60T1G APTGT100SK60TG APTGT100TA120TPG
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