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APTGF90H60TG

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  • APTGF90H60TG
    APTGF90H60TG

    APTGF90H60TG

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 15000

  • APT/ MICROSEMI

  • Standard

  • 2024+

  • -
  • 代理商库房现货

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
APTGF90H60TG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGF90H60TG 技术参数
  • APTGF90H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 120A 416W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):120A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.4nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF90DU60TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF90DH60TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF90DH60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 110A 416W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:非对称桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF90DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 110A 416W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,90A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGL180A120T3AG APTGL240TL120G APTGL325A120D3G APTGL325DA120D3G APTGL325SK120D3G APTGL40H120T1G APTGL40X120T3G APTGL475A120D3G APTGL475DA120D3G APTGL475SK120D3G APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G APTGL60DSK120T3G APTGL60H120T3G APTGL60TL120T3G APTGL700DA120D3G
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