APTGF50VDA120T3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF50VDA120T3G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
15862
MICROSEMI
Standa..
23+
-
全新原装正品现货热卖

APTGF50VDA120T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
155
MICROSE
1521+
-
全新原装现货

APTGF50VDA120T3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

APTGF50VDA120T3G
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4671
MICROSEMI
MODULE SP3
2222+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF50VDA120T3G 技术参数

APTGF50TL60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Three Level Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50TDU120PG 功能描述:IGBT Module NPT Triple, Dual - Common Source 1200V 75A 312W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGF50TA120PG 功能描述:IGBT Module NPT Three Phase 1200V 75A 312W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGF50SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G APTGF90DA60T1G APTGF90DA60TG APTGF90DH60T3G APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G APTGF90SK60T1G APTGF90SK60TG APTGF90TA60PG APTGF90TDU60PG