APTGF50SK60D1

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价格
说明
操作

APTGF50SK60D1G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
170
APT
50A/600V/IGBT+DIODE/
2024+
-
全新现货价格优势

APTGF50SK60D1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
APT
标准封装
06+
-
全新原装100%正品保证质量

APTGF50SK60D1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
APT
标准封装
06+
-
全新原装100%正品保证质量

APTGF50SK60D1
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
2000
APT
标准封装
06+
-
全新原装100%正品保证质量

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您是不是要找： APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G

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APTGF50SK60D1 技术参数

APTGF50SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:3.45nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF50H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50H60T2G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF50H60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G APTGF90DA60T1G APTGF90DA60TG APTGF90DH60T3G APTGF90DH60TG APTGF90DU60TG APTGF90H60T3G APTGF90H60TG APTGF90SK60D1G