APTGF25H120T3G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGF25H120T3G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
MICROSEMI
2014+
-
公司现货!只做原装!

APTGF25H120T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGF25H120T3G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

1/1页 40条/页共13条
1

您是不是要找： APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG

APTGF25H120T3G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGF25H120T3G PDF下载

功能描述
IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGF25H120T3G 技术参数

APTGF25H120T2G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 40A 208W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGF25H120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 40A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF25DSK120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 1200V 40A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双路降压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 1200V 40A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双路升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF25A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 40A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.65nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G APTGF30X60T3G APTGF330A60D3G APTGF330DA60D3G APTGF330SK60D3G APTGF350A60G APTGF350DA60G APTGF350DU60G APTGF350SK60G APTGF360U60D4G APTGF400U120D4G APTGF500U60D4G APTGF50A120T1G APTGF50A120TG APTGF50A60T1G