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APTGF150A120TG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APTGF150A120TG
    APTGF150A120TG

    APTGF150A120TG

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • SP6

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

  • APTGF150A120TG
    APTGF150A120TG

    APTGF150A120TG

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP4

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APTGF150A120TG
    APTGF150A120TG

    APTGF150A120TG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 86500

  • MICROSE

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • APTGF150A120TG
    APTGF150A120TG

    APTGF150A120TG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • Microsemi

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • 1/1页 40条/页 共23条 
  • 1
APTGF150A120TG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • POWER MOD IGBT 1200V 150A SP4
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGF150A120TG 技术参数
  • APTGF150A120T3WG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):210A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF150A120T3AG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 1041W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):210A 功率 - 最大值:1041W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):9.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGF100SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF15X120T3G APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G
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