APTC60TAM21SCTPAG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTC60TAM21SCTPAG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯专营优势产品

APTC60TAM21SCTPAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTC60TAM21SCTPAG
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

APTC60TAM21SCTPAG
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

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1

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功能描述
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
制造商
microsemi corporation
系列
CoolMOS??
包装
散装
零件状态
在售
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
116A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
21 毫欧 @ 88A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.6V @ 6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
580nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13000pF @ 100V
功率 - 最大值
625W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP6-P
标准包装
1

APTC60TAM21SCTPAG 技术参数

APTC60SKM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60SKM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60SKM24CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V FET 功能:超级结功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:SP1 封装/外壳:SP1 标准包装:1 APTC60HM83FT2G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 36A MODULE 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:83 毫欧 @ 18A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:255nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7290pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTC60HM70T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G APTC80DDA29T3G APTC80DSK15T3G APTC80DSK29T3G APTC80H15T1G APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G