APT5016BLL，APT5010BLL，APT8052BLL

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APT5016BLL，APT5010BLL，APT8052BLL 技术参数

APT5016BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2833pF @ 25V 功率 - 最大值:329W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT5014SLLG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3261pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:403W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 17.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:1 APT5014SLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3261pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA 供应商器件封装:D3 [S] 标准包装:1 APT5014BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:140 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3261pF @ 25V 功率 - 最大值:403W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT5012JN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:托盘零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:370nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:520W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 21.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装供应商器件封装:ISOTOP? 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 标准包装:1 APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L