APT35GN120SG

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT35GN120SG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT35GN120SG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9000
英飞凌
SOP
20+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APT35GN120SG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
597
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

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您是不是要找： APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology

APT35GN120SG 技术参数

APT35GN120L2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:94A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 测试条件:800V，35A，2.2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT35GN120BG 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 94A 379W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:94A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，35A 功率 - 最大值:379W 开关能量:2.315mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:220nC 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/300ns 测试条件:800V，35A，2.2 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 开关能量:642μJ（开），382μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/104ns 测试条件:600V，18A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:900V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:63A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 开关能量:642μJ（开），382μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:84nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/104ns 测试条件:600V，18A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1200V 电流 - DC 正向（If）:35A 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:* 标准包装:1 APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG APT40DQ120BCTG APT40DQ120BG