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APT200GN60B2G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:83617149

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 30

  • Microsemi Power Products

  • 2016+

  • -
  • 公司现货!只做原装!

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • T-MAXB2

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI

    APT200GN60B2GMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖小姐

    电话:13410012158

    地址:广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层

  • 5000

  • Microsemi

  • T-MAX?

  • 11+

  • -
  • 100%进口原装正品,只做原装

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 30

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原装进口

  • -
  • 代理渠道可追溯现货库存F

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83286481

    地址:坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -
  • 微芯专营优势产品

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • APT

  • T-MAX

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9688

  • TI

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原装正品进口现货 电话010-62104...

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-88608801多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • T-MAX?[B2]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APT200GN60B2G
    APT200GN60B2G

    APT200GN60B2G

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 30

  • MICROSEMI

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 1
APT200GN60B2G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 600V 283A 682W TO247
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 3V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 输入类型
  • 标准
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-247-3
  • 供应商设备封装
  • PLUS247?-3
  • 包装
  • 管件
APT200GN60B2G 技术参数
  • APT19M120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 14A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9670pF @ 25V 功率 - 最大值:545W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT19F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):440 毫欧 @ 16A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):260nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8500pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT18M80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):120nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3760pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 9A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 标准包装:1 APT18M80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):530 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3760pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT18M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4845pF @ 25V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT2012LSECK/J4-PRV APT2012LSYCK/J3-PRV APT2012LVBC/D APT2012LZGCK APT2012MGC APT2012P3BT APT2012PBC/A APT2012PR54F/A-SC APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK
配单专家

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