APT15GP60S

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批号
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说明
操作

APT15GP60S
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
APT
模块
15+
-
原装正品，假一罚十

APT15GP60S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D3PAK，TO-268
25+
-
国产品牌，替代进口

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1

您是不是要找： APT15GP90BDQ1G APT15GP90BG APT15GP90KG APT15GT120BRDQ1G APT15GT120BRG APT15GT60BRDQ1G APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG

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制造商
MICROSEMI
制造商全称
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT15GP60S 技术参数

APT15GP60KG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT15GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDQ1G 功能描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），120μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT15GP60BDLG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:不適用於新設計 IGBT 类型:PT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:56A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):65A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.7V @ 15V，15A 功率 - 最大值:250W 开关能量:130μJ（开），121μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:55nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/29ns 测试条件:400V，15A，5 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT15GN120KG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 开关能量:410μJ（开），950μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:90nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/150ns 测试条件:800V，15A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:30 APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW APT1608PYW APT1608QBC/D APT1608QBC/G APT1608SECK