APT12040L2FLLG

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT12040L2FLLG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
264MAXL2
22+
-
十年配单，只做原装

APT12040L2FLLG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
264 MAX?[L2]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT12040L2FLLG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
230
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET - MOS7 - Rail/Tube
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER FREDFET TRANSISTOR

APT12040L2FLLG 技术参数

APT12031JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:330 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:365nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9480pF @ 25V 功率 - 最大值:690W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT1201R4BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11N80KC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:450 毫欧 @ 7.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1585pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):44A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3V @ 15V，8A 功率 - 最大值:156W 开关能量:300μJ（开），285μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:65nC 25°C 时 Td（开/关）值:7ns/100ns 测试条件:800V，8A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K] 标准包装:50 APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A APT1212AX APT1212AZ APT1212W APT1212WA