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AOT29S50L

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  • AOT29S50L
    AOT29S50L

    AOT29S50L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • AOS美国万代

  • TO220

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  • AOT29S50L
    AOT29S50L

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • TO-220

  • 25+

  • -
  • 国产品牌,替代进口

  • AOT29S50L
    AOT29S50L

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • AOT29S50L
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 995

  • ALPHA & O

  • 1521+

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  • 全新原装现货

  • AOT29S50L
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  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3852

  • AOS/万代

  • TO-220

  • 2226+

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 500V 29A TO220
AOT29S50L 技术参数
  • AOT298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT296L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):126nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6775pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT2918L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT2916L 功能描述:MOSFET N CH 100V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta),23A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):870pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOT416_002 AOT416L AOT418L AOT424 AOT42S60L AOT430 AOT440 AOT460 AOT462 AOT462_001 AOT462L AOT470 AOT472 AOT474 AOT474_002 AOT480L AOT482L AOT4N60
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