AON7210_代理商_批发/采购【买卖IC网】AON7210

配单专家企业名单

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说明
操作

AON7210 IC
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：梁先生
电话：18823887255(微信同号）
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
0
2025+
DFN33
13500
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

AON7210
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：唐小姐
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
8110
AOS
DFN3.3x3
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON7210
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
11705
ALPHA & O
1521+
-
全新原装现货

AON7210
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN3.3x3.
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON7210
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
深圳市蓝山航业电子科技有限公司
联系人：陈伟
电话：0755-83979745
地址：新亚洲二期N2A090
500000
alpha&omega
22+
-
行业低价，代理渠道

AON7210
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN3.3x3.3
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET N CH 30V 50A DFN3.3X3.3
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

AON7210 技术参数

AON7202L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7202_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2200pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），36W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:5,000 AON7202 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7200L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7200_102 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.8A（Ta），40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），62W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:5,000 AON7254 AON7262E AON7264E AON7280 AON7290 AON7292 AON7296 AON7380 AON7400 AON7400A AON7400AL AON7400AL_101 AON7400AL_102 AON7400AL_103 AON7400B AON7400B_101 AON7401 AON7402