AON2411

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON2411
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
13150
ALPHA & O
1521+
-
全新原装现货

AON2411
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
3000
AOS
DFN8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON2411
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
36521
ADI/亚德诺
DFN8
2023
-
全新原装现货，支持BOM表配单

AON2411
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
AOS
DFN2x2C
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON2411
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
DFN22
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
8 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2180pF @ 6V
功率 - 最大值
5W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-DFN（2x2）
标准包装
1

AON2411 技术参数

AON2410 功能描述:MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:813pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2409 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2408 功能描述:MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:782pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2407 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37.5 毫欧 @ 6.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:746pF @ 15V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2406 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.5 毫欧 @ 8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1140pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）标准包装:1 AON2801L AON2801L#A AON2802 AON2803 AON2809 AON2810 AON2812 AON2880 AON3402 AON3414 AON3419 AON3611 AON3613 AON3806 AON3810 AON3814 AON3816 AON3816_101