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AOI7N60

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  • AOI7N60
    AOI7N60

    AOI7N60

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:刘小姐

    电话:15961889150

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 1000

  • isc/固电半导体

  • IPAK/TO-251

  • 25+

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  • 国产品牌,替代进口

  • AOI7N60
    AOI7N60

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-251A

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  • AOI7N60
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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • AO/万代

  • TO-251A

  • 17+

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  • AOI7N60
    AOI7N60

    AOI7N60

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 20830

  • AOS万代

  • TO-251A

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  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251A Tube
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
AOI7N60 技术参数
  • AOI5N40 功能描述:MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Ta),70A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.2W(Ta),24W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-251A 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 标准包装:3,500 AOI530 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A TO-251 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3130pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:3,500 AOI518_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:- 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标准包装:1 AOI518 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak 供应商器件封装:TO-251A 标准包装:70 AOK20B120E1 AOK20B120E2 AOK20B135D1 AOK20B135E1 AOK20B60D1 AOK20B65M1 AOK20B65M2 AOK20N60L AOK20S60L AOK22N50L AOK2500L AOK27S60L AOK29S50L AOK30B120D2 AOK30B135W1 AOK30B60D AOK30B60D1 AOK30B65M2
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