AO7403_001

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： AO7404 AO7405 AO7407 AO7408 AO7408L AO7410 AO7411 AO7412 AO7413

AO7403_001 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AO7403_001 PDF下载

功能描述
MOSFET P-CH SC70-3
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
1.44nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
114pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
470 毫欧 @ 700mA，4.5V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SC-70（SOT323）
封装/外壳
SC-70，SOT-323
标准包装
3,000

AO7403_001 技术参数

AO7403 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.7A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:470 毫欧 @ 700mA，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:114pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:3,000 AO7401 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.06nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:409pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.7A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.82nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:390pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO6810 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 6A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74，SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO7413_030 AO7414 AO7414_001 AO7415 AO7417 AO7600 AO7600_001 AO7800 AO7801 AO8801 AO8801A AO8801AL AO8801L AO8803 AO8804 AO8804_100 AO8804L AO8807