AO4406AL/AO4406

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AO4406AL/AO4406A
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
AO
SOP-8
22+
-
全新原装现货供应

1/1页 40条/页共18条
1

您是不是要找： AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L AO4409 AO4411 AO4411L AO4413 AO4413L

AO4406AL/AO4406 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AO4406AL/AO4406 技术参数

AO4406A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:910pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4406 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4405L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4405E 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:495pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 8.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:3,000 AO4415 AO4419 AO4419_003 AO4419L AO4420A AO4421 AO4421L AO4423 AO4423L AO4425 AO4427 AO4430 AO4433 AO4435 AO4435_102 AO4435_103 AO4435L_102 AO4437