2SD1418DATR

配单专家企业名单

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说明
操作

2SD1418DATR
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
18210
RENESAS
SOT-89
24+
-
全新原装正品现货热卖

2SD1418DATR-E
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生卢先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
30690
RENESAS
SOT-89
2021+
-
全新原装现货，全网最低，假一罚十

2SD1418DATR
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
RENESAS
SOT-89
22+
-
全新原装现货供应

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2SD1418DATR 技术参数

2SD1407A-Y(F) 功能描述:TRANS NPN 100V 5A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，5V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SD1383KT146B 功能描述:TRANS NPN DARL 32V 0.3A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400μA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:1 2SD13280TL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD13280SL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD13280RL 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MINI 3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标准包装:1 2SD14740P 2SD1478ARL 2SD1484KT146Q 2SD1484KT146R 2SD14850P 2SD14990P 2SD15110RL 2SD1535 2SD1618S-TD-E 2SD1618T-TD-E 2SD1620-TD-E 2SD1623S-TD-E 2SD1623T-TD-E 2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-H 2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-H 2SD1628F-TD-E