2SC4228(M)-T1B

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说明
操作

2SC4228(M)-T1B(R43)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
432000
NEC
SOT323
2025+
-
代理商库房现货

2SC4228(M)-T1B
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
NEC
SOT
22+
-
全新原装现货供应

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2SC4228(M)-T1B 技术参数

2SC4227-T1-R34-A 功能描述:SAME AS NE68130 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:新产品晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:3,000 2SC4227-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2SC4227-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:65mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SC4226-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2SC4226-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:4.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN 2SC4489S-AN 2SC4489T-AN 2SC4495