2N5440

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2N5440
优势
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
500
CHINA
TO-3
2227+
-
只做原装进口！正品支持实单！

2N5440
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD5624BCPZ-REEL7
AD741JH
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

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1

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 60A I(C) | TO-3

2N5440 技术参数

2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件状态:有效标准包装:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA