1SS403TPH3F

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说明
操作

1SS403TPH3F
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
2051
Toshiba
标准封装
23+
-
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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Vr=200V If=0.1A 2Pin
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

1SS403TPH3F 技术参数

1SS403,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 100MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:60ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS402TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:50mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 50mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 20V 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 1SS401(TE85L,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 300mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 20V 不同?Vr，F 时的电容:46pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS400-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:SOD-523 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:8,000 1SS400TE61 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA EMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:EMD2 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:1 1SS423(TE85L,F) 1SS424(TPL3,F) 1SS427,L3M 1SV228TPH3F 1SV229TPH3F 1SV233-TB-E 1SV234-TB-E 1SV239TPH3F 1SV246-TL-E 1SV249-TL-E 1SV250-TB-E 1SV251-TB-E 1SV263-TL-E 1SV264-TL-E 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F