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配单专家企业名单

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说明
操作

1N5811US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1500
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N5811US
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1500
MSC
-
公司现货,只做原装！

1N5811US
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

1N5811US
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

1N5811US
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

1N5811US
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
90148
MSC
SMD
最新批次
-
一级代理.原装特价现货！

1N5811US
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
6
MICROCHIP TECHNOLOGY
价格优势
2303
-
全新原装渠道现货

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 150V 6A 2-Pin E-MELF
制造商
Sensitron Semiconductors
功能描述
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 6A 2PIN D-5B - Bulk

1N5811US 技术参数

1N5811TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5811C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5811 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5809US.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 6A 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF 供应商器件封装:- 工作温度 - 结:- 标准包装:1 1N5809US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR 1N5817/54 1N5817-B 1N5817-E3/53 1N5817-E3/54 1N5817-E3/73 1N5817G 1N5817HA0G 1N5817HB0G 1N5817HR0G