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配单专家企业名单

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说明
操作

1N5807US
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
59
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N5807USJTX/TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
MICROSEMI
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1N5807USJTX/TR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10365
MICROSE
SMD
9752+
-
全新原装现货

1N5807US
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
59
MSC
2007/2008
-
公司现货,只做原装！

1N5807USJTX/TR
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
4234
MICROSEMI
SMD
2217+
-
▊▊真实现货▊可出售样品及配套服务

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 50V 6A 2-Pin E-MELF
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 6A 2PIN D-5B - Bulk

1N5807US 技术参数

1N5807 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:60pF @ 10V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:- 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5806USE3/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5806USE3 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5806US/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N5806US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 1A D5A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:875mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，A 供应商器件封装:D-5A 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N5811US/TR 1N5812 1N5812R 1N5813 1N5813R 1N5814 1N5814R 1N5815 1N5815R 1N5816 1N5816R 1N5817 1N5817 A0G 1N5817 B0G 1N5817 BK 1N5817 R0G 1N5817 R1G 1N5817 TR