1N5258D

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1N5258D 稳压(齐纳)二极管
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
8650
LRC/乐山
DO-35
25+
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全新原装正品现货，价格优势，假一罚十

1N5258DO35
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
98000
SAMSUNG
QFP
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1N5258D 技术参数

1N5258C-TR 功能描述:DIODE ZENER 3.4A 36V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5258C-TAP 功能描述:DIODE ZENER 3.4A 36V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5258BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5258B-TR 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5258B-TP 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5259B_T50R 1N5259B-T 1N5259BTA 1N5259B-TAP 1N5259B-TP 1N5259B-TR 1N5259BUR-1 1N5259C-TAP 1N5259C-TR 1N5259TA 1N5260A 1N5260A (DO-35) 1N5260B 1N5260B (DO-35) 1N5260B A0G 1N5260B BK 1N5260B TR 1N5260B_T50A