1N4752(33V)

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1N4752(33V)
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
ON
25+
-
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1N4752(33V) 技术参数

1N4752 G 功能描述:DIODE ZENER 33V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:45 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 25.1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 1N4751PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4751PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4751P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1,500 1N4751P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 30V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 22.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:4,000 1N4752A_T50A 1N4752A_T50R 1N4752AE3/TR13 1N4752AG 1N4752AHA0G 1N4752AHB0G 1N4752AHR0G 1N4752AHR1G 1N4752AP/TR12 1N4752AP/TR8 1N4752APE3/TR12 1N4752APE3/TR8 1N4752A-T 1N4752A-T50A 1N4752ATA 1N4752A-TAP 1N4752A-TP 1N4752ATR