1N3123

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说明
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1N3123
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
23800
台湾
DIPSMD
25+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
silicon diode

1N3123 技术参数

1N3087R 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 150A DO205AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:17mA @ 300V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AC，DO-30，接线柱供应商器件封装:DO-205AC（DO-30）工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:10 1N3085 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150A DO205AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:150A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 150A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AC，DO-30，接线柱供应商器件封装:DO-205AC（DO-30）工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:10 1N3070UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3070TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:500mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N3070-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R 1N3167 1N3167R 1N3168 1N3168R 1N3169