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FW80200M733(SL678)

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FW80200M733(SL678)
深圳市航诚芯科技有限公司
深圳市航诚芯科技有限公司
联系人：李澳门
电话：19335378180
地址：福田区华强北街道华匀大夏1栋4楼456A
5000
INTEL/英特尔
BGA
08+
-
原装

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FW80200M733(SL678) 技术参数

FW80200M600SL677 功能描述:IC I/O PROCESSOR 600MHZ 241-BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器系列:- 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA（25x25）包装:托盘 FW80200M400SL676 功能描述:IC I/O PROCESSOR 400MHZ 241-BGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微处理器系列:- 标准包装:2 系列:MPC8xx 处理器类型:32-位 MPC8xx PowerQUICC 特点:- 速度:133MHz 电压:3.3V 安装类型:表面贴装封装/外壳:357-BBGA 供应商设备封装:357-PBGA（25x25）包装:托盘 FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:37 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A，5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:45V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 FW82439HXSU115 FW82439TXSL28T FW82443BXSL2VH FW906-TL-E FW907-TL-E FWA.1B.308.CLA FWA.1B.310.CLA FWA.MH.03C.XLZ FWA.SH.306.XLA FWA020005A-10A FWA020005A-10B FWA020005B-10A FWA020005B-10B FWA020009A-10A FWA020009A-10B FWA020009B-10A FWA020009B-10B FWA020012A-10A