CY62168DV30LL-55BVICYPRESS

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CY62168DV30LL-55BVICYPRESS 技术参数

CY62168DV30LL-55BVI 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167GN30-45ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步存储容量:16Mb （1M x 16）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 CY62167GE30-45BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MoBL? 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步存储容量:16Mb （2M x 8，1M x 16）写周期时间 - 字，页:45ns 访问时间:45ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-VFBGA 供应商器件封装:48-VFBGA（6x8）标准包装:480 CY62167EV30LL-45ZXIT 功能描述:静态随机存取存储器 3V SUPER LoPwr 1MEGX16 PbFree 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167EV30LL-45ZXI 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 3V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62168GE30-45BVXI CY62168GE30-45BVXIT CY62168GN30-45BVXI CY62168GN30-45BVXIT CY62177DV30LL-55BAXI CY62177DV30LL-55BAXIT CY62177ESL-55ZXI CY62177ESL-55ZXIT CY62177EV18LL-70BAXI CY62177EV18LL-70BAXIT CY62177EV30LL-55BAXI CY62177EV30LL-55BAXIT CY62177EV30LL-55ZXI CY62177EV30LL-55ZXIT CY62187EV18LL-70BAXI CY62187EV18LL-70BAXIT CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXIT