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CUS01(Q)

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CUS01(Q)
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑女士
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1010
资质：营业执照
12420
Toshiba
US-FLAT
2025+
-

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CUS01(Q) 技术参数

CURN105-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN102-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CURN101-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:- 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:2-SMD，无引线供应商器件封装:1206/SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 CUS05S40,H3F CUS06(TE85L,Q,M) CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12 CUS150M12/A CUS150M12/F CUS150M12/U CUS150M24 CUS150M24/A CUS150M24/F CUS150M24/U