配单专家企业名单

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说明
操作

C2M0160120D
优势
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
2500
原厂
SMD
18+
-
公司现货原装库存，13661385246

C2M0160120D
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
CREE
con
24+
-
电子元件

C2M0160120D
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
19850
Cree Inc
TO-247
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

C2M0160120D
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
CREE
con
24+
-
电子元件

C2M0160120D
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

C2M0160120D
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
6000
CREE
QFP
22+
-
原装正品现货

C2M0160120
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CREE
TO3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

C2M0160120D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

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C2M0160120 技术参数

C2M0080120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:62nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:192W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0045170D 功能描述:MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1700V（1.7kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 18mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:188nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3672pF @ 1kV 功率 - 最大值:520W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0040120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:52 毫欧 @ 40A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1893pF @ 1000V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2M0025120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:90A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 C2LG6-F 功能描述:DUCT COVER W/PROTECTIVE FILM 6' 制造商:panduit corp 系列:PANDUCT? C 型零件状态:有效配件类型:外盖 - 线槽，咬接式，带保护膜配套使用产品/相关产品:Panduit 线槽- 开槽式，实心式和圆孔式 - D2X，E2X，F2X，FS2X，G2X 和 S2X 高度:0.350"（8.89mm）宽度:2.250"（57.15mm）长度:6.00'（1.83m）颜色:浅灰标准包装:1 C2PC,AL C2PC,BK C2PC,GY C2PXG-1406G C2PXG-1406M C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G