BZT55A7V5 GS08

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BZT55A7V5 GS08 技术参数

BZT55A6V8-GS18 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Surface Mount SOD-80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标准包装:10,000 BZT55A6V8-GS08 功能描述:Zener Diode 6.8V 500mW ±1% Surface Mount SOD-80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:8 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 3V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标准包装:2,500 BZT55A6V2-GS18 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount SOD-80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标准包装:10,000 BZT55A6V2-GS08 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±1% Surface Mount SOD-80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标准包装:2,500 BZT55A5V6-GS18 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±1% Surface Mount SOD-80 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:上次购买时间电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供应商器件封装:SOD-80 标准包装:10,000 BZT55B10-GS18 BZT55B11 L0G BZT55B11 L1G BZT55B11-GS08 BZT55B11-GS18 BZT55B12 L0G BZT55B12 L1G BZT55B12-GS08 BZT55B12-GS18 BZT55B13 L0G BZT55B13 L1G BZT55B13-GS08 BZT55B13-GS18 BZT55B15 L0G BZT55B15 L1G BZT55B15-GS08 BZT55B15-GS18 BZT55B16 L0G