BUZ31H3045A

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BUZ31H3045A
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
25
INFINEON
con
24+
-
晶体管

BUZ31H3045A
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
25
INFINEON
con
24+
-
晶体管

BUZ31H3045A
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
INFINEON
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

1/1页 40条/页共12条
1

您是不是要找： BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1

BUZ31H3045A PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BUZ31H3045A PDF下载

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BUZ31H3045A 技术参数

BUZ31 H3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:PG-TO263-3 标准包装:1 BUZ31 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO-220-3 标准包装:500 BUZ31 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263 标准包装:1,000 BUZ31 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 9A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ30AHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 13.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:PG-TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:500 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW