配单专家企业名单

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封装
批号
价格
说明
操作

BSZ050N03LS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
25950
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSZ050N03LS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
Infineon
S3O8
13+
-
Infineon一级代理，价优

BSZ050N03LS G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

BSZ050N03LS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
QFN8
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSZ050N03LS G
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
5000
HXY MOSFET华轩阳电子
con
24+
-
优势库存，原装正品

BSZ050N03LS G
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
5000
HXY MOSFET华轩阳电子
con
24+
-
优势库存，原装正品

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功能描述
MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 5mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSZ050N03LS G 技术参数

BSZ0506NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:950pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 标准包装:1 BSZ0503NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ0502NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 22A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ0501NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ0500NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）标准包装:5,000 BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSI

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