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BST82.

配单专家企业名单
  • 型号
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  • BST82.215
    BST82.215

    BST82.215

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:马先生

    电话:19166264056

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 66888

  • NEXPERIA原装

  • SOT23

  • 22+

  • -
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

  • BST82.215
    BST82.215

    BST82.215

  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人:周小姐

    电话:1916620305713760272017

    地址:深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

  • 668880

  • NEXPERIA

  • 新封装

  • 22+

  • -
  • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

  • BST82.
    BST82.

    BST82.

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 250000

  • INFINEON

  • SOT-23

  • 最新批次

  • -
  • OEM渠道,价格超越代理!

  • BST82.215
    BST82.215

    BST82.215

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 60220

  • 大量库存G

  • SOT23

  • 2015+

  • -
  • 全新原装现货

  • BST82.215
    BST82.215

    BST82.215

  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

    电话:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亚洲国利大厦A座24层12室

  • 12044

  • 量大可定nxp

  • sot23

  • 2016+

  • -
  • 进口原装现货,一定自己库存

  • 1/1页 40条/页 共16条 
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N SOT-23
BST82. 技术参数
  • BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 标准包装:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):190mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 欧姆 @ 150mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 BST62-70TA 功能描述:TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):72V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1,000 BST62,115 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.3V @ 500μA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 基本零件编号:BST62 标准包装:1 BSTS-27X4 BSTS-27X4/CL/NM BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L
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