BSS159NH6906

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

BSS159NH6906XTSA1
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
13500
INFINEON/英飞凌
SOT23
2026+
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

BSS159NH6906XTSA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
场效应管

BSS159NH6906XTSA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Infineon Technologies
TO-236-3，SC-59，SOT-2
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

BSS159NH6906XTSA1
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
INFINEON
con
24+
-
场效应管

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BSS159NH6906 技术参数

BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗尽模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 BSS159N H6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS159N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS159N E6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS192,115 BSS192,135 BSS192PE6327 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1