BSM50GD60DLCE3226

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说明
操作

BSM50GD60DLCE3226
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
250
EUPEC
50A/600V/IGBT/6U
2024+
-
全新现货价格优势

BSM50GD60DLCE3226
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
EUPEC
MODULE
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSM50GD60DLCE3226
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
EUPEC
模块
03+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSM50GD60DLCE3226
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
EUPEC
正品封装
23+
-
正规商现货供应

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1

您是不是要找： BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY

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功能描述
IGBT 模块 N-CH 600V 70A
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
230 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作温度
+ 125 C
封装 / 箱体
34MM
封装

BSM50GD60DLCE3226 技术参数

BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:- 配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:78A 功率 - 最大值:400W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:33nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:上次购买时间 IGBT 类型:- 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:* 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:10 BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K