配单专家企业名单

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封装
批号
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说明
操作

BSC017N04NSGATMA1
优势
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
85230
Infineon Technologies
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

BSC017N04NSG
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
22103
INFINEON
TDSON8
25+
-
原厂渠道原装现货假一罚十真实库存

BSC017N04NSG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
INFINEON
P-TDSON-8
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC017N04NSG
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSC017N04NSG
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

BSC017N04NSG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1350
INFINEON/
DFN-85X6
12+
-
全新原装现货

BSC017N04NSG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
INFINEON
SUPERSO8
22+
-
十年配单，只做原装

BSC017N04NSG
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：18948176968
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
20000
INFINEON
QFN8
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

BSC017N04NSG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
TDSON-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC017N04NSG
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
20396
INFINEON/英飞凌
SuperSO8
22+
-

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-Channel 40V 30A OptiMOS3 TDSON8

BSC017N04NSG 技术参数

BSC017N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:108nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8800pF @ 20V 功率 - 最大值:139W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC016N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC016N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 95μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:71nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），139W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC016N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 95μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5200pF @ 30V 功率 - 最大值:139W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC016N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 85μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12000pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），139W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1 BSC026N02KS G BSC026N02KSGAUMA1 BSC026N04LSATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 BSC026NE2LS5ATMA1 BSC027N03S G BSC027N04LSGATMA1 BSC027N06LS5ATMA1

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