配单专家企业名单

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说明
操作

BSC016N03LS G
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：苏小姐
电话：0755-82561407
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场4211B
资质：营业执照
10000
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
22+
-
全新原装正品

BSC016N03LS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
INFINEON
专业经营QFN-8脚货源充足品质保证
SUPERSO8
-
假一罚十，百分百原装正品

BSC016N03LS G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
.
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC016N03LS G
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
69800
INFINEON
近两年生产
DFN-8
-
每一片都来自原厂

BSC016N03LS G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一级代理，价优

BSC016N03LS G
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
16854
INFINEON/英飞凌
SUPERSO8
22+
-

BSC016N03LS G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
QFN
最新批号
-
一级代理，原装特价现货！！

BSC016N03LS G
北京力通科信电子有限公司
北京力通科信电子有限公司
联系人：韩小姐
电话：13661385246
地址：北京市海淀区知春路118号知春大厦B座1504室，新中发电子市场B1303-b1305柜台
370
INFINEON
TDSON-8
08+
-
100%公司原装现货只做原装 1366...

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功能描述
MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSC016N03LS G 技术参数

BSC015NE2LS5IATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC014NE2LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），74W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 30A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC014NE2LSI 功能描述:MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 12V 功率 - 最大值:74W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC014N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:5,000 BSC014N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 120μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6500pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），156W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.45 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG BSC022N04LSATMA1 BSC024N025S G BSC024NE2LS BSC024NE2LSATMA1 BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03MSGATMA1

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