BG050-06A-0-1600-0737-0350-L-B

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制造商
Global Connector Technology (GCT)
功能描述
Information Pending

BG050-06A-0-1600-0737-0350-L-B 技术参数

BG 5130R E6327 功能描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT363-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 N-通道（双）频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:3V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:10mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:6,000 BG 3230 E6327 功能描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) 5V 800MHz 24dB PG-SOT363-6 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:2 N-通道（双）频率:800MHz 增益:24dB 电压 - 测试:5V 额定电流:25mA 噪声系数:1.3dB 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:8V 封装/外壳:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:PG-SOT363-6 标准包装:6,000 BFY90 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 200mW Through Hole TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:1.4GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:5.5dB @ 800MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 25mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-72 标准包装:2,000 BFY193PZZZA1 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 7.5GHz 580mW Surface Mount MICRO-X1 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz 增益:12.5dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 30mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:MICRO-X1 供应商器件封装:MICRO-X1 标准包装:1 BFX34 功能描述:TRANS NPN 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:870mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 BG0702-B04-500-0 BG0702-B045-000-00 BG0702-B045-00L-00 BG0702-B045-00S-00 BG0702-B05-300-0 BG0702-B053-000-00 BG0702-B053-00L-00 BG0702-B053-00S-00 BG0702-B05-400-0 BG0702-B054-000-00 BG0702-B054-00L-00 BG0702-B054-00S-00 BG0702-B055-000-00 BG0702-B055-00L-00 BG0702-B055-00S-00 BG0703-B04-100-0 BG0703-B041-000-00 BG0703-B041-00L-00