BFG480W,115全国供应商 BFG480W,115资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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BFG480W,115
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
NXP
SOT343R
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BFG480W,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
NXP
SOT-343R
2010+
-
假一罚十，百分百原装正品

BFG480W,115
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
90000
NXP Semiconductors
CMPAK-4
18+
-
TRANS NPN 4.5V 21GHZ...

BFG480W,115
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
33000
NXP SEMICONDUCTORS
--
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

BFG480W,115
深圳市泽芯微科技有限公司
深圳市泽芯微科技有限公司
联系人：柯小姐
电话：0755-8273028382732023
地址：中航路新亚洲国利大厦A座24层12室
9199
nxp
sot343r
2017+
-
进口原装现货，一定自己库存

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功能描述
射频双极小信号晶体管 NPN 4.5V 21GHZ
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
NPN
最大工作频率
7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT-223
封装
Reel

BFG480W,115 技术参数

BFG425W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:10,000 BFG425W,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:1 BFG424W,115 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:22dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:3,000 BFG424F,115 功能描述:TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:23dB 功率 - 最大值:135mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 25mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343 反向插针供应商器件封装:4-SO 标准包装:1 BFG410W,135 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 12mA 22GHz 54mW Surface Mount CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:4.5V 频率 - 跃迁:22GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz 增益:21dB 功率 - 最大值:54mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:CMPAK-4 标准包装:10,000 BFG520/XR,235 BFG520W,115 BFG520W/X,115 BFG540,215 BFG540/X,215 BFG540/XR,215 BFG540W,115 BFG540W/X,115 BFG540W/XR,135 BFG541,115 BFG590,215 BFG590/X,215 BFG591,115 BFG67,215 BFG67,235 BFG67/X,215 BFG92A/X,215 BFG93A,215