BAS316PT

配单专家企业名单

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说明
操作

BAS316PT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
CHENMKO
SOD-323
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BAS316PT
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
CHENMKO ENTERPRISE CO, LT
0715+
-
假一罚十，百分百原装正品

BAS316PT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
CHENMKO
SOD323
10+
-
全新原装现货

BAS316PT
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
5998
CHENMKO
SOD323
2241+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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制造商
CHENMKO
制造商全称
Chenmko Enterprise Co. Ltd.
功能描述
SWITCHING DIODE VOLTAGE 100 Volts CURRENT 0.25 Ampere

BAS316PT 技术参数

BAS316/ZLX 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS316/ZLF 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:215mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:USC 工作温度 - 结:150°C（最大）标准包装:3,000 BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR BAS385-TR3 BAS386-TR