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参数资料
型号： 1N459ATR
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 1/2页
文件大小： 27K
描述： DIODE HI CONDUCTANCE 200V DO-35
标准包装： 1
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 200V
电流 - 平均整流 (Io)： 500mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1V @ 100mA
速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 25nA @ 175V
电容@ Vr, F： 6pF @ 0V，1MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： DO-204AH，DO-35，轴向
供应商设备封装： DO-35
包装： 剪切带 (CT)
其它名称： 1N459ACT
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
December 2004
1N459/A Rev. A
1N459/A Small Signal Diode
1N459/A
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 500 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
4.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -65 to +200
°C
TJ
Operating Junction Temperature 175
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 500 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 300
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 100
μA 200 V
VF
Forward Voltage
1N459A
IF
= 3mA
IF
= 100mA
1.0
1.0
V
V
IR
Reverse Leakage 1N459
1N459A
VR
= 175V, T
A
= 150
°C
5
μA
VR
= 175V
25
nA
CT
Total Capacitance 1N459A VR
= 0, f = 1.0MHz 6.0 pF
DO-35
Color Band Denotes Cathode
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