AUIRFU8405全国供应商 AUIRFU8405资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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AUIRFU8405
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈燕如 13360063753
电话：0755-82564006
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
50000
IR
TO-251
26+
-
原装原厂正品现货

AUIRFU8405
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：18948176968
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
5850
IR
TO-251
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

AUIRFU8405
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214913352991361
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
IR
TO-263
22+
-
十年配单，只做原装

AUIRFU8405
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRFU8405
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
6500
IR
TO-251
25+
-
全新原装正品现货，全网好价

AUIRFU8405
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：张经理
电话：18653422656
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
10
INFINEON
con
24+
-
晶体管

AUIRFU8405
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRFU8405PBF
深圳市航诚芯科技有限公司
深圳市航诚芯科技有限公司
联系人：李澳门
电话：19335378180
地址：福田区华强北街道华匀大夏1栋4楼456A
15000
IR/INFINEON
TO-251
13+
-

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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Rail/Tube
制造商
International Rectifier
功能描述
Auto 40V N-Ch FET 1.65mOhm 100A

AUIRFU8405 技术参数

AUIRFU540Z 功能描述:MOSFET N CH 100V 35A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:28.5 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRFU4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:345 毫欧 @ 5.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:I-Pak 标准包装:75 AUIRFU4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 42A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I-Pak 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 标准包装:3,000 AUIRFU3607 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:84nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3070pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 毫欧 @ 46A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:I-Pak 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 标准包装:3,000 AUIRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:75 AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250 AUIRGF65A40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0

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